PSpice에서 2개 이상의 데이터가 겹쳐진 파형에서 정보를 보고 싶을 때

위와 같이 Param으로 소자 값을 여러개로 변경하여 파형을 만들었을때 임의의 파형에 해당하는 소자 값을 알고 싶다면 정보를 보고 싶은 파형을 선택한 후.

우클릭하여 Trace Information을 클릭한다. 

유도가열, 유도성 부하

 http://www.yooan.co.kr/ybbs/content.php?co_id=tech1

http://heating.co.kr/bbs/content.php?co_id=technology_1

https://m.shoppinghow.kakao.com/m/search/q/%EA%B3%A0%EC%A3%BC%ED%8C%8C%20%EC%9C%A0%EB%8F%84%EA%B0%80%EC%97%B4%EA%B8%B0

 유도 가열의 원리

• 유도가열은 일반적으로 유도 코일로써 알려진 고주파 전류 운반 컨덕터로부터 변환되는 전기 적 에너지에 의해 금속적인부분의 온도를 올리는 방법이다. 이 코일은 전류가 금속의 표면 주위 흐름을 일으키는 방법과 같이 자기장흐름 영역이 금속부분의 에너지를 일으킨다. 이 흐름을 위한 열의 저항 또는 유도 전류 이동의 방해는 순간가열을 일으키는 원인이 된다.
  고주파 유도 가열은 수년을 거슬러 올라간다. 전력의 이러한 원천 중에서 가장 최고로꼽는 것이 금속의 녹임이다. 그런데 고주파 전류를 발생시키는데 요구되는 발전기가 오랫동안 상업적으로 유용하지않았기 때문에 다른 목적을 위한 사용은 지연되어 왔다. 지난 몇 년 동안에 이러한 장애를 극복하고, 금속분야의유도 가열은 급속히 발전해 왔다. 유도 가열 응용의 폭넓은 분야를 포함하는 오늘날의 발전기의 다양한 형태와크기로써 유용할 수 있게 되었다. 어떤 다른 산업의 발전과 같이 유도 가열은 결점뿐만아니라 그것의 응용분야도 가지고 있다. 그것은 최초에 어떤 제한된 가열부분에 또는 금속 표면의 띠 모양의경화에 사용되었던 것이다. 그리고 가열의 다른 특별한 형태를 위한 기본적인 대안으로 고려되지 않았고 차라리이러한 진행 형태에 그것 자체로 빌려주는 부분에 응용하는 가열의 선택적인 수단으로 사용되었다. 제한된 요인의전체적인 지식은 유도가열기를 사용하는 어떤 누구의 심사숙고한 분석이 있어야 한다. 만약그림1과 같이 보이는 기계적인 축이 모든 부분의 경화를 요구한다면, 유도 가열영역이 논리적으로 나누어지지않는다. 그리고 모든 부분의 경화를 위한 특성들은 열처리의 어느 다른 방법으로는 유용하지 않을 뿐만 아니라두세 군데의 실제적인 경화가 요구된다면 고주파 유도 가열은 열처리의 실제적인 방법이 될 것이다. 화살표로지시된 표면은 선택적으로 경화할 수 있고, 가열은 작은 부분의 표면에 제한된다. 그 부분은 휘어지거나 변화를받지 않게 된다. 고주파 유도 가열은 많은 경제적 이득을 얻게한다.


• 
  (그림1) 전체의 경화를 요구하는 제품에서는 고주파 유도 열처리가 적합하지 않다. 화살표로 지시한것과 같이 국부적인 부분에서의 유도 가열은 매우 실용적이다.


• 유도코일영역. 산업적인 제동에 적용한 유도 가열은 솔더링, 브레이징, 단조, 열처리, 열 변환 등의 다른 형태의 많은 실제적인 응용은 금속 제조 공장의 생산 품질향상과 신제조 기술의 새로운 경제적 이득을 모색하는데 간과될 수가 없다. 이미 이러한 기술은 지금까지작업장에서 불가능했던 부분에서 발전해 왔고, 예전에 힘들거나 부적당한 것으로 판명된 곳에서 쉽게 수행되고있다. 많은 잇점들은 유도 가열을 다양하게 응용시킨 폭넓은 경험에 의한 결과이다. 뚜렷한잇점들은 첫째, 과거에 전체적 구성 요소와 비교해서 단지 부분적인 표면 가열을 하는 경우 비교적 낮은 가열비용이다.
  둘째, 보통의 출력 증가에 따라 예외적으로 급속한 비율로 가열 응용
  셋째, 손상의 감소와 제거를 통한 주어진 가열제품에 대하여 단일함
  이러한 세 가지 경제성과 관련하여 간접적 잇점들이 있다. 가열 제품의 변형이 감소되고종종 불필요한 스케일이 형성되지 않고 표면이 경화되는데 이것은 클리닝 작업을 없애게 했다. ; 탄소처리를제거하는 수단과 같이 더 높은 탄소 철강의 대치 ; 더 비싼 합금대신 평활한 탄소 철강의 사용; 브레이징으로더 나은 결속과 강한 연결과 연결 응용; 높은 온도와 공기 조절을 요구하는 대신에 더 낮은 브레이징 합금이사용되고 있다.

High and Low Side Driver vs Half-Bridge Driver

High and Low Side Driver와 Half-Bridge Driver의 차이에 대하여..

H-Bridge 작동 방식은 H-MOSFET의 소스는 L-MOSFET의 드레인에 연결되어 있고, 그 사이에는 부하가 연결되어 있다.

위의 데이터 시트 IRS2106/21064 High and Low Side Driver이고

아래 데이터 시트는 IRS2108/21084 Half-Bridge Driver 이다.

반면에, Half-Bridge 드라이버에서는 소스와 드레인이 연결되어 출력을 부하에 인가한다.

이 외에는 연결 레이아웃이 대부분 동일하다. 

MOSFET의 Enhancement mode(증가형), Depletion mode(공핍형)의 구조 차이, 증가형의 동작모드

 

MOSFET의 

Enhancement mode(증가형), Depletion mode(공핍형)의 구조 차이는 

공정과정에서 채널 형성의 유무에 따라 달라진다.

증가형은 채널이 형성되어 있지 않고, 공핍형은 공정에 채널 형성이 추가 된 것으로 당연히 공정 과정이 추가 된 공핍형이 가격이 더 비싸다.

FET(Field Effect Transistor)는 전계(Vgs)에 의해 두 단자(Drain, Source)사이의 전류가 조정되는 것.

전계 E=V/d

https://youtu.be/RERN3BPFtGA 

https://youtu.be/V0TMW5RCd9M

Vgs-Vth : Pinch-off Voltage

1. Vgs<Vth, Id=0(drain) 차단영역, Cut-off

2. Vgs>=Vth>0, Vds<Vgs-Vth, Id증가 비포화영역, (Ip 선형적으로 증가)

3. Vgs>=Vth>0, Vds>Vgs-Vth, Id 일정하게 유지 포화영역(Saturation 영역, Id 일정하게 유지)