MOSFET의 Enhancement mode(증가형), Depletion mode(공핍형)의 구조 차이, 증가형의 동작모드

 

MOSFET의 

Enhancement mode(증가형), Depletion mode(공핍형)의 구조 차이는 

공정과정에서 채널 형성의 유무에 따라 달라진다.

증가형은 채널이 형성되어 있지 않고, 공핍형은 공정에 채널 형성이 추가 된 것으로 당연히 공정 과정이 추가 된 공핍형이 가격이 더 비싸다.

FET(Field Effect Transistor)는 전계(Vgs)에 의해 두 단자(Drain, Source)사이의 전류가 조정되는 것.

전계 E=V/d

https://youtu.be/RERN3BPFtGA 

https://youtu.be/V0TMW5RCd9M

Vgs-Vth : Pinch-off Voltage

1. Vgs<Vth, Id=0(drain) 차단영역, Cut-off

2. Vgs>=Vth>0, Vds<Vgs-Vth, Id증가 비포화영역, (Ip 선형적으로 증가)

3. Vgs>=Vth>0, Vds>Vgs-Vth, Id 일정하게 유지 포화영역(Saturation 영역, Id 일정하게 유지)